MEMORIAS RAM

HISTORIA


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En 1946; el computador ENIAC, tiene como punto de memoria la utilización de válvulas electrónicas de vacío para la construcción de bi-estables. En los inicios de los años 50 apareció el tubo de rayos catódicos con memoria de capacidad de 1200 bits se conocía como el tubo de Williams. En 1953 aparece la memoria operativa de ferrita se utilizó hasta los años 70. En 1968 IBM diseña la primera memoria comercial de semiconductores con capacidad de 64 bits.

Los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kilobyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.



En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.








CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA PRINCIPAL (RAM)


Un sistema de memoria se puede clasificar en función de muy diversas características. Entre ellas podemos destacar las siguientes: localización de la memoria, capacidad, método de acceso y velocidad de acceso. En el caso de la memoria RAM (también denominada memoria principal o primaria) se puede realizar la siguiente clasificación:



Localización: Interna (se encuentra en la placa base) Capacidad: Hoy en día no es raro encontrar ordenadores PC equipados con 64, 128 ó 256 Mb de memoria RAM. Método de acceso: La RAM es una memoria de acceso aleatorio. Esto significa que una palabra o byte se puede encontrar de forma directa, sin tener en cuenta los bytes almacenados antes o después de dicha palabra (al contrario que las memorias en cinta, que requieren de un acceso secuencial). Además, la RAM permite el acceso para lectura y escritura de información.




Velocidad de acceso: Actualmente se pueden encontrar sistemas de memoria RAM capaces de realizar transferencias a frecuencias del orden de los Gbps (gigabits por segundo). También es importante anotar que la RAM es una memoria volátil, es decir, requiere de alimentación eléctrica para mantener la información. En otras palabras, la RAM pierde toda la información al desconectar el ordenador.


Hemos de tener muy en cuenta que esta memoria es la que mantiene los programas funcionando y abiertos, por lo que al ser Windows 95/98/Me/2000 un sistema operativo multitarea, estaremos a merced de la cantidad de memoria RAM que tengamos dispuesta en el ordenador. En la actualidad hemos de disponer de la mayor cantidad posible de ésta, ya que estamos supeditados al funcionamiento más rápido o más lento de nuestras aplicaciones diarias. La memoria RAM hace unos años era muy cara, pero hoy en día su precio ha bajado considerablemente.


Respecto a las características básicas de cualquier módulo de memoria hemos de fijarnos, principalmente, en el tipo de memoria utilizada, el tipo de módulo (30, 70 ó 168 contactos), la capacidad total ofrecida y el tiempo medio de acceso que ofrece, que es el tiempo que transcurre desde que se solicita el dato almacenado en una determinada dirección de memoria hasta que el chip ofrece el dato solicitado. Evidentemente, cuanto menor sea este número mejores prestaciones obtendremos. Las antiguas memorias SIMM ofrecían cifras entre 70 u 80 nanosegundos y las modernas DIMM SDRAM tiempos inferiores a 10 nanosegundos. Esta diferencia de velocidad permite que el procesador no deba sufrir tiempos de espera innecesarios desde que solicita un dato hasta que lo recibe para poder realizar la operación.



Los principales tipos de memoria RAM utilizadas en nuestros ordenadores se dividen en DRAM, SRAM y Tag RAM. Así, la memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) es la que montan las placas base como memoria principal del sistema, donde se almacenan las aplicaciones en ejecución y los datos que es están gestionando en cada momento. Se refresca cientos de veces por segundo y cuanta mayor cantidad pongamos a disposición del PC mejores resultados obtendremos.


VELOCIDAD DE MEMORIA DDR
Nombre asignado          
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
DDR3 PC3-8500
1066 MHz
DDR3 PC3-10600             
1333 MHz
DDR3 PC3-12800             
1600 MHz
DDR3 PC3-14900             
1866 MHz
DDR3 PC3-16000             
2000 MHz
DDR3 PC3-17000             
2133 MHz
DDR3 PC3-19400             
2400 MHz




CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-3
Tipo de memoria
Capacidad en GigaBytes (GB)

DDR-3 240 terminales en un sólo módulo
1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB



USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR-3
Tipo de memoria
Latencias (CL)
DDR3 PC3-8500
6 hasta 8
DDR3 PC3-10666             
7 hasta 10
DDR3 PC3-12800             
8 hasta 11
DDR3 PC3-14900             
11 hasta 13
DDR3 PC3-16000             
9




DEFINICIÓN DE MEMORIA TIPO DDR4
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata del estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
    

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR4
Nombre asignado
Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
DDR4 PC4-14900E           
2133 MHz - 4266 MHz



CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-4              
Tipo de memoria           
Capacidad en Gigabyte (GB)
DDR-4 240 terminales en un sólo módulo 
2 GB









EVOLUCIÓN



FPM-RAM


Fecha de introducción: 1990. Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.

La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos.

Velocidad de transferencia 200 MB/s






EDO-RAM


Fecha de introducción: 1994. Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).

Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

Velocidad de transferencia 320 MB/s




BEDO-RAM


Fecha de introducción: 1997

Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.

Velocidad de transferencia

Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s





SDR SDRAM
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología Inter Leaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.






PC66


Fecha de introducción: 1997
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de                transferencia de hasta 533 MB/s.












PC100


Fecha de introducción: 1998
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de      transferencia de hasta 800 MB/s.









PC133


Fecha de introducción: 1999
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.













DDR-SDRAM

Descripción de la tecnología
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado.





TIPOS DE MEMORIA DRAM

FPM (Fast Page Mode)
EDO (Extended Data Output)
BEDO (Burst Extended Data Output)
SDRAM (Synchronous DRAM)
DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM II)
ESDRAM (Enhanced SDRAM)
SLDRAM (SyncLink DRAM)
SRAM







ACTUALIDAD MEMORIA RAM



G-RAM / V-RAM (Actual).
DDR2 y SO-DDR2 (Actual).
DDR2 PC5300
DDR3
DDR4
SODDR4



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